Регистрация | Вход
+7 (495) 660-36-20 / 8 800 333-11-43

ПН-ЧТ с 8:00 до 17:45, ПТ с 8:00 до 17:00
Показывать только из наличия

 

Каталог > Электронные компоненты, радиодетали > Модули силовые > Модули полупроводниковые силовые IGBT > VS... серия > VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=123А   VS-GT100DA120UF

Код: 207376

Наличие на складе МСК: под заказ
Наличие на удалённом складе: нет в наличии

Цена розничная: 13850,00 руб.
Цена мелкооптовая: 12757,88 руб.
Цена оптовая - по запросу, с обязательным
указанием требуемого количества

Модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=123А

Параметры:
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat): 1200 В
Ток коллектора Ic: 123 А
Температурный коэффициент Tc: 90
Температура перехода Tj: 150 °C
Тип корпуса: SOT-227

VS-GT100DA120UF модуль силовой IGBT; VCE(sat)=1200В; Ic=123А